Автор: Пользователь скрыл имя, 29 Ноября 2012 в 14:52, курсовая работа
Во введении изложено общее описание полупроводников, их виды, рассмотрены свойства, которыми они характеризуются.
В первой главе были рассмотрены гальваномагнитные явления, а также мы дали объяснение эффекту Холла с точки зрения электронной теории, изучили, как определять подвижности и концентрации носителей заряда в полупроводнике методом эффекта Холла.
Расчётная часть курсовой работы расположена в 2-ой главе.
Реферат______________________________________________ 3
Задание______________________________________________ 4
Введение_____________________________________________ 5
1 Теоретические сведения_______________________________7
1.1 Гальваномагнитные явления________________________ 8
1.2 Эффект Холла____________________________________ 9
1.3 Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории __________________________________________19
1.4 Измерения эффекта Холла в образцах произвольной формы (метод Ван-Дер-Пау)________________________23
1.5 Определение концентрации и подвижности
носителей заряда в полупроводнике методом
эффекта Холла____________________________________26
2. Расчёт электрофизических параметров полупроводника методом эффекта Холла________________________________ 30
2.1 Определение постоянной Холла и типа
электропроводности исследуемого полупроводника________ 30
2.2. Расчёт концентрации носителей заряда в полупроводнике_______________________________________33
2.3. Расчёт подвижности носителей заряда в полупроводнике_______________________________________35
2.4. График зависимости ______________________38
2.5. Определение ширины запрещённой зоны______________41
2.6. Определение энергии активации
примесного уровня____________________________________41
2.7 Аппроксимация зависимости подвижности
носителей заряда от температуры________________________42
Заключение__________________________________________ 44
Список использованной литературы_____________________ 45
Приложения__________________________________________46
Приложение
(программа расчета электрофизических параметров
полупроводника методом эффекта Холла)
Исходные данные
Расчет постоянной Холла концентрации и подвижности носителей заряда
Экспериментальный график зависимости ln(m) от 1/T
Экспериментальный график зависимости ln(n) от 1/T
Аппроксимация значений концентрации
1-я область
2-я область
3-я область
Расчетный график зависимости ln(n) от 1/T
Аппроксимация значений подвижности
Расчетный график зависимости ln(m) от 1/T
Расчет энергии активации примесного уровня полупроводника
Расчет ширины запрещенной зоны полупроводника