Образование малоразмерных структур в ионных кристаллах при имплантации металла в условиях термоэлектрического воздействия
Автор: Пользователь скрыл имя, 15 Декабря 2012 в 11:43, статья
Краткое описание
Целью данной работы является исследование диффузии металла в ионные кристаллы при термоэлектрическом воздействии, а также влияние формируемых малоразмерных структур на механические свойства кристаллов.
Файлы: 1 файл
статья.docx
— 423.14 Кб (Скачать)УДК 537.9
ОБРАЗОВАНИЕ МАЛОРАЗМЕРНЫХ
СТРУКТУР
В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ МЕТАЛЛА
В УСЛОВИЯХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ
Ю.А. Кочергина1, Л.Г. Карыев2, В.А. Федоров1, Т.Н. Плужникова1
1 Тамбовский государственный университет им. Г.Р.Державина, Тамбов, Россия, e-mail: feodorov@tsu.tmb.ru
2 Ямальский нефтегазовый институт (филиал Тюменского государственного нефтегазового университета), Новый Уренгой, Россия, e-mail: jukova_knp@mail.ru
В работе исследованы малоразмерные
структуры, образующиеся в кристаллах
при имплантации металла под
действием электрического поля и
одновременного нагрева. Обнаружено появление
металлических включений в
Ключевые слова: ионные кристаллы, термоэлектрическое воздействие, механические свойства, структура.
Введение
Экспериментально установлено, что термоэлектрическое воздействие на поверхности ионных кристаллов различной кристаллографической ориентации приводит к появлению структурных изменений в виде новообразований аморфного вещества [1]. Основной причиной аморфизации ионных кристаллов является нарушение стехиометрического состава, которое обусловлено ионной проводимостью кристаллов при достижении определенной температуры [2]. Под действием локального облучения в видимом диапазоне длин волн, а также в результате длительного вылеживания в объеме новообразований авторы [1] наблюдали появление кристаллической фазы. На ранних стадиях нагрева и воздействия электрического поля на поверхностях трещины, введенной в кристалл по плоскости нормальной к линиям напряженности электрического поля, появляются локальные необратимые изменения в виде монокристаллических наростов, образование которых авторы [3-4] объясняют диффузией материала из внутренних областей кристалла в полость трещины. Кроме того, длительное воздействие стационарного теплового и электрического полей способствует восстановлению сплошности кристалла [5].
Целью данной работы является исследование диффузии металла в ионные кристаллы при термоэлектрическом воздействии, а также влияние формируемых малоразмерных структур на механические свойства кристаллов.
Методика эксперимента
Исследованию подвергались образцы NaCl, LiF размером 20×8×(2-3)мм, которые выкалывались из крупных кристаллов по плоскостям спайности. Каждый образец раскалывали на две части по плоскости (001), между которыми помещали золотую проволочку диаметром ≈ 40 мкм.
Затем образец закрепляли между электродами (рис.1). Электрическое поле было ориентировано нормально к плоскости (001). Комплекс «кристалл-металл» помещался в печь, где осуществлялся его нагрев до 873 К со скоростью 200 К/ч. После чего образец в течение часа выдерживали при заданной температуре и напряжении между электродами 400 В. Сила тока при этом составляла 10-20мА. Охлаждали образцы со скоростью 50 К/ч вместе с печью. После охлаждения образцы раскалывали по плоскости (100) для проведения микроскопических исследований.
Экспериментальные результаты и их обсуждение
1) При исследовании поверхностей (100) кристалла NaCl было обнаружено появление металлических включений в объеме кристалла (рис. 2). Кроме того, в области нахождения проволочки наблюдали образование пор (рис. 2а).
Диффузия металла в кристалл NaCl сопровождается образованием несплошности, которая представляет собой полость, ограниченную криволинейной поверхностью второго порядка. Среднее расстояние между берегами полостей составляет от 30 до 120 мкм, максимальная глубина полости в кристалле достигает ~0,8 мм. Поперечный скол по плоскости (100) одной из полостей представлен на рис.2б. Для LiF среднее расстояние между берегами полостей составляет от 50 до 100 мкм, максимальная глубина в кристалле достигает ~1 мм, при равных условиях эксперимента.
Во всех случаях в вершинах полостей наблюдали частицы вещества, которые приводят к возникновению микротрещин по плоскостям и дополнительных сколов вблизи вершины по плоскостям (рис.2в).
Наряду с внедрением металла в кристалл обнаружено появление дендритообразных структур на границе кристалл-металл (рис.3).
На рис.4а приведена частица вещества в вершине полости. На рис.4б распределение элементного состава вдоль линии ab, измеренное на растровом ионно-электронном микроскопе Quanta 200 3D. Видно, что наибольшая концентрация Au наблюдается на фронте, движущейся в кристалл частицы, достигая 26 At%. Непосредственно в кристалле концентрация Au снижается до 2-3 At% на расстоянии порядка 5 мкм и сохраняется в пределах 1,5-2 At% вплоть до поверхности, ограничивающей кристалл. В пределах частицы концентрация Au имеет неравномерное распределение (рис.4б)
Использование ИК-Фурье спектрометра позволило получить спектры пропускания для кристаллов LiF в исходном состоянии и после термоэлектрического воздействия. Отмечено снижение коэффициента пропускания в диапазоне длин волн 7,7-9 мкм ~ на 12% и в области максимумов 12,1 мкм и 13,29 мкм ~ на 7%.
При исследовании морфологических особенностей внутренних поверхностей (001) ионных кристаллов LiF и NaCl, контактирующих с металлом и содержащих частицы Au после термоэлектрического воздействия, обнаружены значительные рельефные изменения свободной поверхности той части кристалла, которая прилегала к отрицательно заряженному электроду.
Далее были исследованы механические свойства кристаллов с внедренными частицами металла. Исследования проведены на жесткой испытательной машине Instron 5565. Образцы NaCl, LiF с частицами испытывали на сжатие со скоростью движения траверсы 0,1 мм/мин. Зависимости напряжение–деформация для кристаллов NaCl представлены на рис.5. Для кристаллов LiF зависимости имеют качественное совпадение.
Различие образцов (исходных и термообработанных с частицами) сказывается на деформационных параметрах, таких как предел упругости, предел прочности и общая величина деформации (табл.1). Среднее значение коэффициента упрочнения для образцов с частицами Au также изменяется в сторону его увеличения.
2) Морфологические изменения
Появление дополнительных сколов вблизи вершины полостей обусловлено возникновением термоупругих напряжений из-за разницы коэффициентов термического расширения кристалла и частиц, находящихся внутри полости.
Присутствующие на поверхности (001) металлические частицы являются центрами кристаллизации, которые способствуют появлению зон кристаллизации и росту дендритов в области нахождения металла.
Обнаруженные морфологические изменения поверхности (изменение рельефа) после термоэлектрического воздействия на кристалл объяснимы тем, что: стационарное внешнее электрическое поле вызывает диффузию собственных ионов в направлении линий напряженности. В результате на свободной поверхности кристалла, соединенного с отрицательным полюсом, образуется объемный отрицательный заряд за счет оттока от нее положительных ионов металла. Сублимация ионов галоида в полость несплошности под действием сил электростатического отталкивания и внешнего электрического поля, приводит к изменению рельефа поверхности (001). На положительно заряженной поверхности изменения рельефа не происходит, так как ионы металла, насыщая поверхность зарядом, становятся междоузельными [9].
Изменение деформационных параметров, таких как модуль упругости, предел прочности и среднее значение коэффициента упрочнения, кристаллов с частицами обусловлено в первом случае внедрением частиц Au в кристаллическую решетку и во втором – закреплением, дислокаций примесными атмосферами.
В работе [10] показано, что при сжатии ЩГК пластическое течение локализуется в определенных зонах. Выделяют несколько стадий, на каждой из которых развитие разрушения обусловлено движением очагов пластического течения с различными скоростями, характерными для каждой стадии. В случае исследования ионных кристаллов с частицами Au, вероятно, происходит замедление движения таких зон локализованной пластической деформации. В результате чего имеют место эффекты упрочнения и увеличения общей деформации исследуемых образцов.
Выводы
Показано, что диффузия металла
в ионные кристаллы при
Изменение деформационных параметров
связано с упрочнением
Металлические частицы на поверхности раскола, являются центрами кристаллизации, вызывающими рост дендритообразных структур.
Изменение состояния поверхности (рельефа), прилегающей к отрицательно заряженному электроду, связано с оттоком положительных ионов и обусловлено нарушением стехиометрического состава приповерхностных областей кристалла.
Часть исследований проведена
с использованием оборудования
Центра коллективного пользования научным
оборудованием БелГУ «Диагностика структуры
и свойств наноматериалов»
Литература
- Федоров В.А., Карыев Л.Г., Иванов В.П., Николюкин A.M. Поведение поверхностей сколов щелочно-галоидных кристаллов в электрическом поле при одновременном нагреве. // ФТТ. – 1996. - Т.38. - №2. - С. 664-666.
- Мурин А.Н., Лурье Б.Г. Диффузия меченных атомов и проводимость ионных кристаллов. // Л.: Издательство Ленинград. ун-та, - 1967. - 100с.
- Федоров В.А., Карыев Л.Г. Влияние исходной дислокационной структуры на зарождение трещин в кристаллах LiF при микроиндентировании // Кристаллография. - 1990. - Т. 35. - № 5. - С. 1020-1022.
- Молоцкий М.И. Рекомбинационный механизм эмиссии электронов Дерягиной-Кротовой-Карасева после скола // ДАН СССР. - 1978. - Т. 243. - № 6. - С. 1438-1441.
- Федоров В.А.. Карыев Л.Г., Мексичев О.А. Поведение поверхности скола щелочногалоидных кристаллов при нагреве в электрическом поле // Физика и химия обработки материалов. - 2005. - № 3. - С. 77-80.
- Бондаренко В.Б., Давыдов С.Н., Филимонов А.В. Естественные неоднородности потенциала на поверхности полупроводника при равновесном распределении примеси. // Физика и техника полупроводников, - 2010. – Т. 44. - Вып. 1 – С. 44-41.
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции // М.: Наука. -1987.
- Гавриловец В.В., Бондаренко В.Б., Кудинов Ю.А., Кораблев В.В. Равновесное распределение мелкой примеси и потенциала в приповерхностной области полупроводника в модели полностью обедненного слоя. // ФТП, -2000. - Т.34. – Вып. 4. –С. 455-458.
- Стерелюхин А.А. Структурно-фазовые превращения на поверхностях ионных кристаллов, обусловленные совместным действием электрического и нестационарного теплового полей: дис. …канд. физ.-мат. наук / ТГУ им.Г.Р. Державина. Тамбов, - 2006. - 151с.
- Баранникова С.А., Надежкин М.В. О локализации пластической деформации при сжатии щелочно-галоидных кристаллов. // V Международная конференция с элементами научной школы для молодежи «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (MPFP-2010) 21-26 июня 2010 года, г. Тамбов. Сб. трудов. – С. 1143-1147.
Образование малоразмерных структур в ионных кристаллах при имплантации металла в условиях термоэлектрического воздействия
Кочергина Ю.А. ____________
Карыев Л.Г. ____________
Федоров В.А. ____________
Плужникова Т.Н. ____________
Рис.1. Схема экспериментальной установки 1 – исследуемый образец; 2 – электроды; 3 – печь, 4 – металл.
Рис.2. Диффузия металла (Au) в кристалл: а) NaCl, темное образование в центре – пора (стрелками отмечены частицы Au), б) NaCl, поперечное сечение полости, образовавшейся при диффузии металла; в) полость в кристалле LiF.
Рис.3. Дендритообразный нарост на поверхности (001) кристалла LiF.
Рис.4. а) – Частица вещества в вершине полости в NaCl. Линией ab отмечен участок исследования элементного состава; б) – распределение (в At%) вдоль лини ab по направлению [001]основных элементов в кристалле NaCl после имплантации Au.
Рис.5. Зависимость для кристаллов NaCl:1-в исходном состоянии, 2- содержащих частицы Au.
Рис.1
Образование малоразмерных структур в ионных кристаллах при имплантации металла в условиях термоэлектрического воздействия
Ю.А. Кочергина,
Л.Г. Карыев, В.А. Федоров, Т.Н. Плужникова
а) б) в)
Рис.2
Образование малоразмерных структур в ионных кристаллах при имплантации металла в условиях термоэлектрического воздействия
Ю.А. Кочергина,
Л.Г. Карыев, В.А. Федоров, Т.Н. Плужникова
Рис.3
Образование малоразмерных структур в ионных кристаллах при имплантации металла в условиях термоэлектрического воздействия
Ю.А. Кочергина, Л.Г. Карыев, В.А. Федоров, Т.Н. Плужникова
а)
б)
Рис.4
Образование малоразмерных структур в ионных кристаллах при имплантации металла в условиях термоэлектрического воздействия
Ю.А. Кочергина, Л.Г. Карыев, В.А. Федоров, Т.Н. Плужникова
Рис.5
Образование малоразмерных структур в ионных кристаллах при имплантации металла в условиях термоэлектрического воздействия
Ю.А. Кочергина, Л.Г. Карыев, В.А. Федоров, Т.Н. Плужникова
Табл.1. Деформационные параметры кристаллов NaCl
Образец |
||||
NaCl |
273,42 |
9,96 |
23,13 |
2,18 |
NaCl+Au |
333,38 |
22,01 |
54,46 |
2,52 |