Проекционная фотолитография в глубоком ультрафиолете

Последние полвека характеризовались беспрецедентно высокими темпами развития микроэлектроники. При этом эволюция большинства показателей микроэлектроники носит экспоненциально быстрый характер, и до настоящего времени не всегда можно разглядеть даже начальные признаки замедления, не говоря уже о стагнации. Есть основания полагать, что первопричиной такого характера изменений самых различных показателей явилась возможность последовательного и непрерывного уменьшения минимального характеристического размера элемента интегральной схемы amin, также носящего экспоненциальный характер (этот характеристический размер называют также „технологическим стандартом“ или критическим размером — Critical Dimension, CD).