Автор: Пользователь скрыл имя, 24 Января 2013 в 15:50, курсовая работа
В ходе данной рассчитаны параметры, по которым была построена зонная диаграмма p-n перехода. Были определены электрофизические свойства полупроводника, построена ВАХ, ВФХ идеального диода и полная ВАХ диода с учетом рекомбинации и высокого уровня инжекции.
В результате проверки условий n- и p- частей перехода было реализовано условие односторонней инжекции дырок.
ПОСТРОЕНИЕ ЗОННОЙ ДИАГРАММЫ…………………………………………………………………………3
ПОСТРОЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ВАХ) ИДЕАЛЬНОГО ДИОДА….4
ПОСТРОЕНИЕ ВОЛЬТ-ФАРАДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ВФХ) ИДЕАЛЬНОГО ДИОДА….6
РАСЧЁТ ТОКА РЕКОМБИНАЦИИ В ОБЛАСТИ ОБЪЁМНОГО ЗАРЯДА…………………………..7
ПЛОТНОСТЬ ТОКА ПРИ ВЫСОКОМ УРОВНЕ ИНЖЕКЦИИ……………………………………………9
ПОСТРОЕНИЕ ПОЛНОЙ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ВАХ) С УЧЕТОМ РЕКОМБИНАЦИИ И ВЫСОКОГО УРОВНЯ ИНЖЕКЦИИ……………………………………..……….10
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ……..……………………………………………………………………………………………………….11
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ……………………………………………………….………12