Автор: Пользователь скрыл имя, 16 Февраля 2012 в 20:44, контрольная работа
Собственные полупроводники — это полупроводники, электропроводность которых определяется собственными носителями заряда, появившимися в результате перехода носителей под действием температуры из валентной зоны в зону проводимости полупроводника.
Примесный полупроводник — это полупроводник, электрофизические свойства которого определяются, в основном, примесями других химических элементов.
где концентрация примеси;
ni – собственная концентрация носителей.
С учетом (1.7) значение потенциала Ферми 0,466 эВ.
Концентрация
неосновных носителей заряда для
кремния n-типа находится по следующей
формуле:
. (1.8)
В нашем случае она равна 2.25*108 м-3.
Удельная проводимость с учетом (1.2) для кремния n-типа равна 2.16*104 (Ом*м)-1.
Положение
уровня Ферми относительного верхнего
энергетического уровня валентной зоны
описывает формула:
. (1.9)
Исходя из (1.9) положение уровня Ферми равно 0,966 эВ.
ВЫВОДЫ
В данной работе были исследованы основные свойства полупроводника, зависимость свойств полупроводника от его строения, от влияние внешних факторов.
Было определенно, что ширина запрещенной зоны полупроводника оказывает значительное влияние на его электрические свойства.
Изобразив зонные диаграммы собственного и примесного полупроводника, рассмотрели механизм перехода электронов из одной зоны в другую.
Определили влияние кристаллографических плоскостей на скорость травления и оптические свойства.
Путем
теоретического расчета были определенны
основные физико-химические параметры
кремния с различным типом
проводимости, концентрацией примесей
и при различных внешних