Исследование биполярного транзистора в статическом режиме

Лабораторная работа, 04 Февраля 2013, автор: пользователь скрыл имя

Краткое описание


Цель работы: Изучение работы биполярного транзистора в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ)
Теоретические сведения: Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два встречно включённых взаимодействующих p –n переходов (рис. 3.1.). Взаимодействие переходов обеспечивается тем, что они расположены достаточно близко друг от друга – на расстоянии, меньшем диффузионной длины носителей зарядов.

Файлы: 1 файл

№3[1].рус..doc

— 2.31 Мб (Открыть, Скачать)

Открыть текст работы Исследование биполярного транзистора в статическом режиме