Автор: Пользователь скрыл имя, 26 Декабря 2010 в 23:03, доклад
Для легирования поверхности полупроводниковых пластин при изготовлении ИМС используют диффузию и ионное леги-рование. Диффузия является наиболее широко распространен¬ным методом легирования.
Профиль распределения примеси определяют методами:
Дифференциальный метод - старейший, достаточно информативный, но очень трудоемкий. Он состоит в повторяющихся измерениях поверхностного сопротивления четырехзондовым методом после удаления тонких поверхностных слоев кремния анодным окислением и травлением полученного оксида в растворе HF.
При использовании C-U-метода определяют значение емкости обратно смещенного р-n-перехода в зависимости от приложенного напряжения.
Наиболее широко в настоящее время применяют метод сопротивления растекания, при котором двумя зондами измеряют сопротивление на косом шлифе и после обработки результатов получают профиль распределения Ns.
Для контроля уже поставленного технологического процесса достаточно измерять xj и Rs, а также толщину слоя примесно - силикатного стекла, полученного после первой стадии диффузии, и оксида - после второй стадии.
Толщина этих слоев и ее равномерность свидетельствуют о соответствии режимов проведения диффузионного процесса заданным. Кроме того, значения толщины должны быть известны для правильного выбора времени травления при снятии стекла после первой стадии диффузии и оксида после второй для последующей фотолитографии, а также при проведении процесса ионного легирования через оксид, образованный на второй стадии диффузии.