Автор: Пользователь скрыл имя, 20 Января 2012 в 12:44, реферат
Метод термического окисления кремния позволяет получать маскирующие пленки, равномерные по толщине и структуре, позволяющие проводить локальную диффузию или ионную имплантацию. Термическое окисление кремния проводят в парах воды, в сухом и во влажном кислороде.
9. Формирование
внешних выводов.
Анизотропное
травление (англ. Anisotropic
wet etching) –
обработка полупроводникового материала
(кремния) травлением. При этом травление
по различным кристаллографическим направлениям
происходит с различной скоростью (анизотропия
– зависимость свойств материала от направления).
Анизотропные травители представ¬ляют
собой многокомпонентные растворы,
состоящие из окислителя кремния до гидратированного
диоксида, растворителя последнего и замедлителя
или ускорителя процесса травления. В
составе травителей используются системы:
гидразин - вода; гидразин - изопропиловый
спирт - вода; этилендиамин - пирокатехин-вода;
едкое кали - пропиловый спирт - вода; едкий
натр - вода; едкое кали - изопропиловый
спирт - вода и др. В этих системах этилендиамин,
гидразин и едкое кали выполняют роль
окислителя; пирокатехин, пропиловый и
изопропиловый спирт - комплексные агенты.
Вода служит катализатором.Процесс анизотропного
травления заключается в поэтапном удалении
атом¬ных слоев (слой за слоем) с поверхности
кристалла, т.е. в процессе травления на
поверхности кристалла образуются микроскопические
ступеньки. Поэтому анизотропное травление
не дает зеркальных поверхностей и полученный
элемент обрабатывают в течение 30 с в полирующем
растворе изотропного травителя, состоящего
из смеси плавиковой, уксусной и азотной
кислот, взятых в пропорции 1
: 1,2 : 6,2. Обработка в полирующем растворе
сглаживает микронеровности, остающиеся
после анизотропного травления. В результате
повышается также предел прочности до
разрушения ЧЭ в 3-4 раза. На скорость травления
значительное влияние оказывают концентрация
примесей и их тип в кремнии. Поэтому при
травлении р- и n-кремния в составы анизотропных
травителей вводят различные присадки.
Разработаны также разнообразные самотормозящиеся
виды травления. Комбинируя предварительные
диффузии с анизотропными и изотропными
травителями, можно получать с заданной
размерной точностью весьма сложные объемные
микроформы ЧЭ.Скорость травления диоксида
кремния во всех применяемых травителях
оказывается значительно ниже скорости
травления кремния. Поэтому при локальном
травлении защита поверхности кремниевой
пластины от травления может быть осуществлена
с помощью оксидной пленки.
Расчет режима анизотропного травления в плоскости (100). Выбрать травитель. Толщина пластины кремния h1= мкм., h2= мкм., a=5мм.
В качестве травителя возьмем. Температура травления : оС. Скорость травления :V= мкм/мин.
Глубина травления t=h1-h2= мкм.
Время травления t0=t/V= мин
W= мкм.
8. Описание технологического процесса и параметры соединения кремния и стекла