Полупроводники

Автор: Пользователь скрыл имя, 03 Октября 2011 в 19:02, лекция

Краткое описание

Основными свойствами, отличающими полупроводники от других твердых тел, являются следующие:

Характер и величина зависимости электропроводности от температуры. Проводимость полупроводников возрастает с увеличением температуры по экспоненциальному закону
( на 1° Кельвин). У металлов увеличение температуры приводит к уменьшению проводимости.
Сильное влияние примеси на проводимость. Что значит сильнее? Концентрация примеси , % уже существенно увеличивает проводимость. У металлов же введение примеси уменьшает проводимость. Почему?
Высокая чувствительность электрических свойств полупроводников ко всякого рода внешним воздействиям (механическая деформация, облучение светом, рентгеновскими лучами или быстрыми частицами и др.).

Файлы: 1 файл

Полупроводники.docx

— 163.01 Кб (Скачать)

Рисунок 2.3:Схема  образования дырки за счет акцепторной  примеси.

Одновременно  проходит термогенерация электронно–дырочных пар, но дырок больше и они являются основными носителями, а электроны неосновными.

б) С точки  зрения зонной теории положение свободного места, на котором может быть захвачен электрон изображается акцепторным уровнем, расположенным в нижней половине запрещенной зоны (рисунок 2.3б). Расстояние между уровнем акцептора и потолком валентной зоны соответствует энергии образования дырки, т. е. электрон переходит из валентной зоны на примесный уровень. Концентрация дырок, появившихся за счет акцепторных примесей оценивается выражением:

,

где NА– концентрация акцепторов. В таких полупроводниках вероятность появления дырки в валентной зоне больше, чем вероятность появления электрона в зоне проводимости. Это отражено графиком функции Ферми и положением уровня Ферми (рисунок 2.3в).

Как правило, в  реальных полупроводниках есть и  донорные акцепторные примеси. Они компенсируют друг друга, и тип полупроводника определяется разностью концентраций примеси. Например, если , то полупроводник -типа и концентрация дырок определяется разностью . И наоборот.

3. Ток в полупроводниках

Дрейфовый ток

Когда отсутствует  внешнее поле, электроны и дырки  находятся в хаотическом движении. При наличии электрического поля на хаотическое движение накладывается  компонента направленного движения, т. е. дырки направленно движутся вдоль электрического поля, электроны  против, создавая ток одного направления (рисунок 3.1).

Рисунок 3.1 –  Схема движения электронов и дырок  под действием внешнего поля.

Ток обусловленный внешним полем напряженностью называют дрейфовым. Электронная и дырочная составляющие плотности дрейфового тока равны следующим выражениям:

,

где – заряд электрона, и – концентрация дырок и электронов:

,

т. е. это выражение  закона Ома в дифференциальной форме, где  и подвижности электронов и дырок, т. е. скорости электронов и дырок , возникающие при напряженности поля равном единице:

; .

Например, при К

, в

Информация о работе Полупроводники