Полевой транзистор

Автор: Пользователь скрыл имя, 07 Ноября 2011 в 17:50, курсовая работа

Краткое описание

В сучасній електроніці спостерігається бурхливий ріст виробництва потужних польових транзисторів. В процесі їхнього розвитку вони за допустимою напругою, струмам і потужностями досягли рівня сучасних потужних біполярних транзисторів. Досягнута теплостійкість і відсутність вторинного пробою підвищили надійність, а також забезпечили простоту іх паралельного включення у випадку курування більш потужними сигналами

Оглавление

Вступ
Розділ 1 ФІЗИЧНІ ПРИНЦИПИ ФУНКЦІОНУВАННЯ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ
1.1 Загальна характеристика і класифікація
1.2 Конструктивно-технологічні особливості і типи структур
1.3 Принцип роботи польового транзистора
1.4 Вибір знаків напруги МДН-транзисторі
1.5 Статичні характеристики МДН-транзистора
1.6 Вплив типу каналу на вольт-амперні характеристики
1.7 Еквівалентна схема і швидкодія МДН-транзистора
Розділ 2 ГАЛУЗІ ВИКОРИСТАННЯ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ
2.1 Підсилювачі на основі польових транзисторів
2.2 Використання польових транзисторів в схемах переривників
2.3 Польові транзистори в схемах спеціальних генераторів
2.4 Використання тонкоплівкового транзистора з бар’єром Шотткі
ВИСНОВКИ
ЛІТЕРАТУРА

Скачать в ZIP (673.66 Кб) Сколько стоит заказать работу?
Файлы: 1 файл

Полевой транзистор.doc

— 963.50 Кб (Скачать)

 

     ЛІТЕРАТУРА 

  1. Окснер  Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение. - М.: Радио и связь. -1985. - 288 с.
  2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Высшая школа. - 1991. -617 с.
  3. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. - Запоріжжя: ЗДІА. -2002. - 99с.
  4. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. Радио. - 1980. - 424 с.
  5. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. -М.: Высшая школа, 1987. - 479 c.
  6. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. - М.: Сов. Радио. -1971. -376 с.
  7. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. -М.:Мир.-1984. - 368 с.
  8. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учебное пособие/ Петрозаводск :ПетрГУ. –2004. -312 с.
  9. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е издание, перераб. и доп.-М.: Высшая школа. -1983. -384 с.
  10. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. - М.: Советское радио. -1970. -392 с.
  11. Городецкий Л.Ф., Ф. Кравченко Полупроводниковые приборы. -М.: Высшая школа. -1967. - 348 с.
  12. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие. - 2-е издание. - М.: Лаборатория Базовых знаний. - 2001. - 488 с.
  13. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. -М.: Энергоатомиздат. -1990- 376 с.
  14. Батушев В. А. Электронные приборы. – М: Высшая школа. - 1980- 193 с.
  15. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. –М.:Энергия. -1976. -80 с.
  16. Гершунский Б. С. Основы электроники и микроэлектроники. –К.: Вища школа. - 1989. – 423 с.
  17. Вишняков А.В., Ефремов М.Д. Моделирование проводимости а-Si: H тонкопленочного транзистора с барьерами Шоттки//Физика и техника полупроводников. –Т.1, №9. -2010. –С. 1290-1293

Информация о работе Полевой транзистор