Автор: Пользователь скрыл имя, 21 Ноября 2015 в 16:03, доклад
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.
Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три электрода: исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители).
Полевые транзисторы
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.
Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три электрода: исток (источник носителей тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители).
Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом n-типа
Условное графическое обозначение полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа
На этом рисунке изображено
строение полевого транзистора: Строение
полевого транзистора
Электрод полевого транзистора,
через который в проводящий канал втекают
носители заряда, называют истоком, а электрод,
через который они вытекают из канала,
— стоком.
Электрод полевого транзистора, на который
подается электрический сигнал» используемый
для управления величиной тока, протекающего
через канал, называют затвором.
К каждому из электродов присоединяются
выводы, носящие соответствующие названия
(истока, стока и затвора). Затвор выполняет
роль сетки вакуумного триода. Исток и
сток соответствуют катоду и аноду. Величина
тока в канале (при Е2 и Rн = const) зависит
от сопротивления участка пластинки между
стоком и истоком, т. е. в значительной
степени от эффективной площади поперечного
сечения канала.
Источник E1 создает отрицательное напряжение
на затворе, что приводит к увеличению
толщины запирающего слоя и к уменьшению
сечения канала. С уменьшением сечения
канала увеличивается сопротивление между
истоком и стоком и снижается величина
тока Iс. Уменьшение напряжения на затворе
вызывает уменьшение сопротивления канала
и возрастание тока Iс. Следовательно,
ток, протекающий через канал, можно модулировать
сигналами, приложенными к затвору.
Поскольку р-n - переход включен в обратном
направлении, входное сопротивление прибора
очень велико.
Отрицательное напряжение, приложенное
к затвору относительно истока, может
вызвать такое расширение ОПЗ, при котором
токопроводящий канал окажется перекрытым.
Это напряжение называют пороговым или
напряжением отсечки. Оно соответствует
напряжению запирания электронной лампы.
К р-n - переходу приложено не только «поперечное»
напряжение Е1 но и «продольное» напряжение,
падающее на распределенном сопротивлении
канала, создаваемое током, протекающим
от истока к стоку. Поэтому ширина ОПЗ
у стока увеличивается, а эффективное
сечение канала соответственно уменьшается
(см. рис. 1). Приборы данного типа называют
полевыми транзисторам и с затвором в
виде р-n перехода или с управляющим р-n-
переходом .