Разработка технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе p-n – переходов и барьеров Шоттки

Полупроводниковые приборы – электронные приборы, действие которых основано на электронных процессах в полупроводниках. В электронике они используются в устройствах для обработки электрических сигналов, а также для преобразования одних видов энергии в другие.

Введение ………………………………………………………………………......3
1 Расчет параметров полупроводникового прибора …………………………..5
1.1 Расчет концентрации свободных электронов и дырок при комнатной температуре ………………………5
1.2 Расчет собственной концентрации носителей заряда при комнатной температуре ………………………………6
1.3 Расчет высоты потенциального барьера p-n-перехода и барьера Шоттки .7
1.4 Зависимость тока от приложенного к p-n-переходу и барьеру Шоттки напряжения …………………………8
1.5 Обоснование и выбор температуры и времени диффузии ……………….11
1.5.1 Обоснование и выбор температуры, времени, метода диффузии..…… 11
1.5.2 Обоснование выбора леганта …………………………………………....15
2 Обоснование и выбор омических и выпрямляющих контактов межэлементных соединений …………………………...17
3 Обоснование и выбор технологического оборудования для
операций диффузии, фотолитографии, термического окисления, эпитаксии.21
3.1 Термическое окисление …………………………………………………….21
3.2 Фотолитография ………………………………………………………….…25
3.3 Диффузия ………………………………………………………………….…28
3.3.1 Диффузия из неограниченного источника ………………………….…..28
3.3.2 Диффузия из ограниченного источника …………………………….…..29
3.4 Эпитаксия…………………………………………………………………….33
4 Технология изготовления полупроводникового прибора по стандартной планарно-эпитаксиальной технологии …..40
5 Разработка комплекта фотошаблонов и масок; разработка топологии …..54 6 Операционные карты процессов фотолитографии, термического окисления, диффузии ………………………………………………………………………..58
6.1 Операционная карта процесса диффузии ………………………………...58
6.2 Операция фотолитографии ………………………………………………..59
6.3 Операция термического окисления кремния ……………………………..60
Заключение ……………………………………………………………………..62
Список использованных источников …………………………………………63
Приложение А . Расчет параметров полупроводникового прибора в MathCad