Расчет полупроводникового диода с p-n переходом
Курсовая работа, 24 Января 2013
В ходе данной рассчитаны параметры, по которым была построена зонная диаграмма p-n перехода. Были определены электрофизические свойства полупроводника, построена ВАХ, ВФХ идеального диода и полная ВАХ диода с учетом рекомбинации и высокого уровня инжекции.
В результате проверки условий n- и p- частей перехода было реализовано условие односторонней инжекции дырок.
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: myunivercity.ru
Реферат, 09 Января 2013
Электроника - это область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов и принципов их использования.
Микроэлектроника - это раздел электроники, охватывающий исследование и разработку качественно нового типа электронных приборов - интегральных микросхем - и принципов их применения.
Развитие электроники
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: yaneuch.ru
Реферат, 29 Марта 2014
Принципы работы термионного диода были заново открыты 13 февраля 1880 года Томасом Эдисоном, и затем, в 1883 году, запатентованы (патент США № 307031). Однако дальнейшего развития в работах Эдисона идея не получила. В 1899 году германский учёный Карл Фердинанд Браун запатентовал выпрямитель на кристалле[4]. Джэдиш Чандра Боус развил далее открытие Брауна в устройство применимое для детектирования радио. Около 1900 года Гринлиф Пикард создал первый радиоприёмник на кристаллическом диоде. Первый термионный диод был запатентован в Британии Джоном Амброзом Флемингом (научным советником компании Маркони и бывшим сотрудником Эдисона) 16 ноября 1904 года (патент США № 803684 от ноября 1905 года). 20 ноября 1906 года Пикард запатентовал кремниевый кристаллический детектор (патент США № 836531).
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: yaneuch.ru
Реферат, 11 Сентября 2013
Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем основана на использовании процессов и явлений, происходящих в твердом теле. Поэтому знание физических основ теории твердого тела необходимо для понимания принципов работы и параметров разнообразных электронных элементов.
В твердом веществе атомы занимают устойчивые положения, определяемые межатомными связями. Обычно наиболее прочные связи возникают в веществе, имеющем кристаллическую структуру.
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: referat.yabotanik.ru
Курсовая работа, 24 Декабря 2010
Полупроводниковый диод представляет собой двухэлектродный прибор, действие которого основано на использовании электрических свойств p-n перехода или контакта металл-полупроводник. К этим свойствам относятся: односторонняя проводимость, нелинейность вольтамперной характеристики, наличие участка вольтамперной характеристики, обладающего отрицательным сопротивлением, резкое возрастание обратного тока при электрическом пробое, существование емкости p-n перехода.
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: stud24.ru
Лекция, 14 Марта 2012
Основой полупроводникового диода является р-n-переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры. В зависимости от конструктивных особенностей р-n-перехода и диода в целом полупроводниковые диоды изготовляются как в дискретном, так и в интегральном исполнении.
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: referat.yabotanik.ru
Реферат, 19 Января 2015
Выпрямительные диоды получают, как правило, двумя методами: сплавным и диффузионным. При сплавном методе в кристалл кремния или германия, имеющего n-проводимость, вплавляется акцептор(индий, алюминий и т.д.), а при диффузионном методе происходит диффузия примеси при высокой температуре из среды, содержащей пары примесного материала. Отличительной особенностью выпрямительных диодов является большая площадь p-n-перехода, что позволяет пропускать через переход большие токи – от сотен миллиампер до сотен ампер.
Полупроводниковые диоды
Сайт-партнер: freepapers.ru
Лабораторная работа, 18 Января 2012
Цель
1. Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении p-n перехода.
2. Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) полупроводникового диода.
3. Исследование сопротивления диода при прямом и обратном смещении.
4. Измерение напряжения изгиба вольтамперной характеристики.
5. Закрепление теоретического материала.