Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода

Автор: Пользователь скрыл имя, 15 Ноября 2011 в 15:34, курсовая работа

Краткое описание

Построил график зависимости равновесной конфигурации носителей тока от температуры в координатах

Оглавление

1. Исходные данные……………………………………………………………………..…....3

2. Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном п/п …..………………………………………………………………………..…....4

3. Расчет температурной зависимости уровня Ферми в собственном п/п ….………...….7

4. Расчет температуры ионизации дононой примеси Тs и ионизации основного вещества Ti в п/п……………………………………………………………………….……….10

5. Расчет температуры ионизации Тs и Ti в акцепторном п/п…………………………...12

6. Расчет температурной зависимости положения уровня Ферми в дон. п/п…….…......17

7. Расчет критической концентрации вырождения донорной примеси………….……...18

8. Расчет равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока….…….20

9. Нахождение высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода…….….....21

10. Нахождение положение уровней Ферми в р-n переходе…………………………….....22

11. Нахождение толщины р-n перехода в равновесном состоянии………………………..23

12. Определение толщины пространственного заряда в р и n областях…………………..24

13. Построение графика 5 «Энергетическая диаграмма p-n-перехода в равновесном состоянии»……………………………………………………………………………………....25

14. Нахождение максимальной напряженности электрического поля в равновесном p-n-переходе………………………………………………………………….….26

15. Нахождение падение потенциала в p-n-областях пространственного заряда p-n- перехода………………………………………………………………………………………....27

16. Построение график 6 «Зависимость потенциала в p-n-областях от расстояния».........29

17. Вычисление барьерной емкости p-n-перехода………………………………………….30

18. Вычисление коэффициента диффузии для электронов и дырок……………………...31

19. Вычислить электропроводность и удельное сопротивление собственного п/п…......32

20. Определение величины плотности обратного тока p-n-перехода…………………….33

21. Построение обратной ветви ВАХ p-n-перехода……………………………………......34

22. Построить прямую ветвь ВАХ p-n-перехода...................................................................35

23. Вычислить отношение jпр/jобр……………………………………………………….....34

24. Список литературы……………………………………………………………………....36

Скачать в ZIP (395.09 Кб) Сколько стоит заказать работу?
Файлы: 1 файл

Курсовая по ФОЭ 3 семестр завершенная.docx

— 423.15 Кб (Скачать)

С ростом напряжения растёт коэффициент выпрямления. 

 

Список  используемой литературы

  1. Основы микроэлектроники / И.И. Степаненко - М: Физматлит, 2001.
  2. Физические основы электронной техники / С.А.Фридрихов, С.М. Мовнин -1982.
  3. Физика полупроводников / К.В. Шадимова - М: Энергоиздат, 1985.
  4. Лекции по ФОЭ / А.П. Дружинин.
  5. Физические основы электронной техники: Курс лекций / А. П. Дружинин – Чита: ЧитГУ,2006
  6. Савельев И.В. Курс общей физики. В 3 т. -М.: Наука, 1979. Т.3;
 
 
 
 
 
 
 
 

 

Введение.

Полупроводники  как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность задолго до этого  были обнаружены: эффект выпрямления  тока на контакте металл-полупроводник; фотопроводимость. 

Были построены  первые приборы на их основе. О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования  контактов полупроводник-металл для  усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующие годы кристаллические  детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х  годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение полупроводников (главным образом  германия и кремния в радиоэлектронике).Одновременно началось интенсивное изучение свойств  полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки  кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).

В СССР изучение полупроводников начались в конце 20 - х годов под руководством А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте  АН СССР.

Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос в связи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что  привело к созданию полупроводниковых  лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.

В последнее  время большее распространение  получили приборы, основанные на действии полупроводников. Эти вещества стали  изучать сравнительно недавно, однако без них уже не может обойтись ни современная электроника, ни медицина, ни многие другие науки.

Информация о работе Свойства полупроводников, расчет характеристик p-n перехода