Расходомер на основе электромагнитного датчика расхода

Автор: Пользователь скрыл имя, 02 Марта 2013 в 19:22, курсовая работа

Краткое описание

В последние годы в микроэлектронике бурное развитие получило направление, связанное с выпуском однокристальных микроконтроллеров, которые предназначены для "интеллектуализации" оборудования различного назначения. ОЭВМ представляют собой приборы, конструктивно выполненные в виде БИС и включающие в себя все составные части микроЭВМ: микропроцессор, память программ и память данных, а также программируемые интерфейсные схемы для связи с внешней средой. Использование микроконтроллеров в системах различного назначения обеспечивает достижение исключительно высоких показателей эффективности при низкой стоимости. К настоящему времени более двух третей мирового рынка микропроцессорных средств составляют именно однокристальные ЭВМ.

Оглавление

введение
обзор методов решения поставленной задачи
разработка функциональной схемы прибора
разработка принципиальной схемы устройства
разработка ПО
заключение
литература

Файлы: 1 файл

Ткачева.doc

— 751.50 Кб (Скачать)

Рисунок 2.1- Схема замещения  реальной катушки индуктивности

Rm - активное сопротивление  обмотки катушки индуктивности

r - сопротивление, учитывающее  потери в стали

Построим для этой схемы векторную диаграмму токов  и напряжений. Векторная диаграмма токов и напряжений представлена на рисунке 2.2.

Рисунок 2.2- Векторная диаграмма токов и напряжений

На диаграмме изображён  сигнал , снимаемый с электродов Uэ и представляющий собой сумму  двух сигналов: полезного сигнала Uпол и трансформаторной ЭДС Uтр.

Эквивалентная схема  подключения электродов датчика  для снятия информационного сигнала  изображена на рис.2.3

Рисунок 2.3- Схема подключения датчика для снятия информационного сигнала

Для этой схемы должно выполняться условие: входное сопротивление измерительного усилителя должно быть на несколько порядков выше сопротивления датчика.

Сигнал, снимаемый с  электродов содержит в себе полезную составляющую которая описывается  формулой:

 (2.1)

где - магнитная индукция

- расстояние между электродами

- скорость потока и трансформаторной ЭДС

 (2.2)

где - площадь контура образуемого подводящими проводниками, находящимися в магнитном поле

- частота магнитного поля  пронизывающего движущийся поток  жидкости.

На рисунке 2.4 представлена примерная структурная схема  расходомера на основе электромагнитного  датчика расхода.

Рисунок 2.4- Структурная схема расходомера на основе электромагнитного датчика расхода

ГСК -генератор синусоидальных колебаний;

ИП - источник питания;

ПНТ- преобразователь  напряжение – ток;

Инд - индуктор;

Э1,Э2 - электроды;

Ус- усилитель;

ПТН – преобразователь  ток-напряжение;

ФСУ – фазосдвигающее устройство;

ФУН- формирователь управляющего напряжения;

ФЧВ- фазочувствительный выпрямитель;

Ф-фильтр;

МК- микроконтроллер;

УИ- устройство индикации;

Кл – клавиатура.

Описание предполагаемой работы устройства:

С генератора синусоидальных колебаний через преобразователь напряжение – ток сигнал подаётся на индуктор, который отвечает за создание рабочего магнитного потока. Индуктор представляет собой две катушки индуктивности. При подаче на катушки тока возбуждения создается магнитное поле, которое наводит в электропроводной жидкости, движущейся в трубе, ЭДС. Значение ЭДС, пропорциональное скорости движения жидкости, а, значит, и расходу, снимается с двух измерительных электродов, расположенных напротив друг друга в диаметральной плоскости трубы.

Полезный сигнал, снятый с двух электродов датчика, усиливается и поступает на фазочувствительный выпрямитель; также на него подаётся прямоугольный сигнал с с индуктора через преобразователь ток-напряжение, фазосдвигающее устройство и формирователь управляющего напряжения.

Далее сигнал отфильтровываем , делая его таким образом пригодным для дальнейшей его обработки АЦП, который необходим чтобы преобразовать аналоговые показания с датчика в двоичный код. Микроконтроллер производит обработку получаемой информации, вычисляет необходимые значения функций: скорости потока, накопленный расход и регистрирует моторное время и расход , пересылает при необходимости информацию на ПК, выводит данные на полупроводниковые индикаторы.

Клавиатура включает в себя 4 переключателя для выбора аналоговых каналов; переключатель режима работы МКС; кнопку "Сброс", при нажатии на которую производится сброс МК.

Через интерфейс ИРПС происходит передача информации с микроконтроллера в центральный компьютер.

Блок питания предназначен для питания элементов схемы.

При этом диапазон измерения  расхода 1,0...10 м3/с, на электродах допустимо напряжение поляризации, имеющее характер медленного дрейфа, не более 100 мВ, при эксплуатации температура медных обмоток индуктора может изменяться в диапазоне 0...150°С, номинальное сопротивление "меди" обмоток проводов (при 20°С) равно 30 Ом.

Расходомер должен производить 10 измерений в секунду и находить среднее значение, индицировать скорость потока (м/с), расход (м3/час), накопленный расход (м3), моторное время (текущее время с момента начала работы).Основная приведенная погрешность расходомера не должна превышать 2%.Рабочий температурный диапазон 0...60°С.Дополнительная погрешность расходомера не должна превышать 0,5% при изменении температуры окружающего воздуха на 10°С во всем рабочем диапазоне.

  1. Разработка принципиальной схемы устройства

 

Генератор синусоидальных колебаний

Генератор синусоидальных колебаний предназначен для питания  электромагнитного датчика (рисунок 3.1)

Рисунок 3.1 – Схема генератора синусоидальных колебаний

Для нахождения необходимой  амплитуды генератора необходимо падение  напряжения на датчике. Схема генератора дана на рисунке 3.1. Он реализован с использованием последовательно - параллельной фазосдвигающей цепи[2]. Элементы R-C.

В качестве нелинейного  элемента, обеспечивающий баланс амплитуд(устойчивою работу) используются диоды VD1, VD2. Транзисторы VT1, VT2 включенные как эмитторные повторители, необходимы для усиления входного тока генератора.

Источник питания  индуктора

Синусоидальный сигнал с амплитудой напряжения 5 В и  частотой 50 Гц выходит с генератора синусоидального напряжения.

Рис.3.2 Принципиальная схема преобразователя

В данной схеме используем резисторы:

R5- МЛТ–0,125–1кОм±5%

R6- МЛТ–0,125–1кОм±5%

R7- МЛТ –0,25– 100 кОм±5%.

R8- МЛТ–0,125–56 Ом±5%.

Выбираем по справочнику  операционный усилитель К140УД17Б.

Электромагнитный  датчик

Схема электромагнитного  датчика приведена на рисунке 3.3.

 

Рисунок 3.3 – Схема  электромагнитного датчика

На схеме даны следующие  обозначение:

Rм=30 Ом – сопротивление меди;

Rп=300 кОм – сопротивление потерь;

L=Т×Rм=210 мГн – индуктивность обмотки возбуждения;

ХL =2р×f×L - сопротивление обмотки возбуждения;

ХL =2×3.14×50×210=66 Ом;

Eп – питающее синусоидальное напряжение частотой 50 Гц;

Uвых – выходное напряжение датчика;

Ксв – коэффициент  связи ;

I – входной ток обмотки возбуждения;

IL – ток индуктивности создающий магнитный поток в датчике;

Разработка усилителя

Усилитель переменного  напряжения необходим для нормальной работы фазочувствительного выпрямителя. Схема усилителя приведена на рисунке 3.4 .

Рисунок 3.4 – Усилитель  переменного напряжения

Задаёмся коэффициентом  усиления усилителя K=2000. Выбираем усилитель АD620А.

Диапазон питания …………………………………..….± 2,3 В до ± 18 В;

Внутренняя мощность рассеивания ……………………….….. 650 мВт;

Дифференциальное входное напряжение ………………………..±25 В;

Температурный диапазон (Q)………………………….–65ºC to +150ºC;

Температурный диапазон (N, R)……………………….–65ºC to +125ºC;

Рабочий ток ……………………………………………..…………1,3 мА ;

Максимальное напряжение смещения…….……………….…….. 50 мкВ;

Максимальный дрейф на входе…………………………… 0,6 мкВ / ° C;

Максимальный входной ток смещения…………………………. 1,0 нА;

Низкий уровень шума.

Разработка преобразователя  ток-напряжение

Схема преобразователя ток –  напряжение приведена на рисунке 3.5.

Рисунок 3.5 Преобразователь ток-напряжение.

В качестве микросхемы ОУ выбираем К544УД 2А[10].

Номинальное напряжение питания ………………………  ±15 В± 10 %;

Максимальное выходное напряжение при Uп= ±15 В ………... ≥±10 В;

Напряжение смещения нуля при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В …. ≤30 мВ;

Средний входной ток при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В ………… ≤0,1 нА;

Разность входных токов при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В ……… ≤0,1 нА;

Коэффициент усиления напряжения при Uп= ±15 В, Uвых= ±4 В, Rн=2 кОм …………………………………………………..………. ≥20000;

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений … ≥70 дБ;

Средний температурный  дрейф напряжения смещения нуля при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В………………………………………………. ≤50 мкВ/ ° C;

Частота единичного усиления при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В ……. ≥15 МГц;

Максимальная скорость нарастания выходного напряженияпри Uп= ±15 В, Uвых=−10 В, Uвх=−10 В ………………………………………… ≥20 В/мкс;

Входное сопротивление …………………………………. ≥1 · 1011 Ом.

Разработка фазосдвигающего  устройства

Схема фазосдвигающего устройства приведена на рисунке 3.4.

Рисунок 3.6 – Схема фазосдвигающего  устройства

Выбираем DA4[10] –ОУ типа К544УД2А

Номинальное напряжение питания …………………… ±15 В± 10 %;

Максимальное выходное напряжениепри Uп= ±15 В ……… ≥±10 В;

Напряжение смещения нуля при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В…. ≤30 мВ;

Средний входной ток при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В ……… ≤0,1 нА;

Разность входных токов при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В …… ≤0,1 нА;

Коэффициент усиления напряжения при Uп= ±15 В, Uвых= ±4 В, Rн=2 кОм ………………………………………………………………… ≥20000;

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений … ≥70 дБ;

Средний температурный  дрейф напряжения смещения нуля при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В ………………………………………………. ≤50 мкВ/ ° C;

Частота единичного усиления при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В .. ≥15 МГц;

Максимальная скорость нарастания выходного напряжения при Uп= ±15 В, Uвых=−10 В, Uвх=−10 В ………………………………………. ≥20 В/мкс;

Входное сопротивление  ……………………………….. ≥1 · 1011 Ом.

Разработка формирователя управляющего напряжения

 

Рисунок 3.7 – Схема  формирователя управляющих напряжений

Формирователь управляющих  напряжений предназначен для формирования прямоугольных однополярных импульсов, фронты которых совпадают с моментами  перехода через ноль выходного напряжения фазосдвигающего устройства. Схема  формирователя представлена на рисунке 3.7, она состоит из усилителя ограничителя на ОУ1, и триггера Шмидта – на ОУ2. Пока диоды не открылись ОУ1 работает как разомкнутый и на выходе присутствует напряжение с крутыми фронтами и амплитудой 0.7В. Резистор R9 выбираем из условия ограничения выходного тока ОУ1. Зададимся значением R9=10кОм. Тогда ток протекающий через R9 и по выходу ОУ5 будет равен:

  (3.35)

Ток меньше, чем максимальный ток ОУ. Для К544УД2А Iоу≤5мА. В триггере Шмидта гистерезис должен быть меньше, чем выходное напряжение ОУ5.Зададим напряжение гистерезиса 0.1В, тогда Uвых мах=10В.

Разработка фазочувствительного выпрямителя

Схема ФЧВ приведена  на рисунке 3.8. Это фазочувствительный усилитель с последовательно - параллельными  ключами. Для реализации ФЧВ выбираем микросхему К590КН4 [10]:

Рисунок 3.8 – Фазочувствительный выпрямитель

Ток утечки аналогового  входа………………………….. не более 70нА;

Ток утечки аналогового  выхода …………………….. не более 70нА;

Входной ток низкого уровня управляющего напряжения не более 0.2мкА;

Входной ток высокого уровня управляющего напряжения .. не более 0.2мкА;

Ток потребления при  высоком уровне управляющего напряжения:

От положительного источника  ………………………. не более 200 мкА;

От отрицательного источника  ………………………….. не более 5 мкА;

Ток потребления при  низком уровне управляющего напряжения:

От положительного источника……………………. не более 50 мкА;

От отрицательного источника ……………………… не более 5 мкА;

Сопротивление в открытом состоянии ………………. не более 75 Ом.

В этой микросхеме реализованы 2 ключа, один из которых нормально  не замкнут (контакты 1 – 16), другой нормально  замкнут (контакты 3-4). При подаче на управляющий вход (контакт 15) положительного напряжения, состояние ключей поменяется на противоположное. В открытом состоянии ключа (замкнутого) находится на уровне ≤75 Ом. Разомкнутое состояние характеризуется током утечки при максимальном напряжении на зажимах ключа 30В, Iут≤70 мА. Эквивалентное сопротивление разомкнутого ключа можно оценить значения: (3.38)

Таким образом при  нулевом управляющем напряжении коэффициент усиления ФЧВ равен  – 1, при высоком уровне управляющего напряжения +1.

Сопротивления R1 и R2 выбираем равными 10 кОм [6]:

R13– C2-33 – 0.125Вт – 10 кОм ±5%-Г;

R14– C2-33 – 0.125Вт – 10 кОм ±5%-Г.

В качестве операционного  усилителя выбираем микросхему К544УД2А[10]:

Номинальное напряжение питания ……………………… ±15 В ±10 %;

Максимальное выходное напряжение при Uп= ±15 В…………. ≥±10 В;

Напряжение смещения нуля при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В…… ≥30 мВ;

Средний входной ток  при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В …………. ≥0,1 нА;

Разность входных токов  при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В……….. ≥0,1 нА;

Коэффициент усиления напряжения при Uп= ±15 В, Uвых= ±4 В, Rн=2 кОм ....………………………………………………………… ≥20000;

Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений … ≥70 дБ;

Средний температурный  дрейф напряжения смещения нуляпри Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В …………………………………….………….. ≥50 мкВ/ ° C;

Частота единичного усиления при Uп= ±15 В, Uвых= ±0,02 В.. ≥15 МГц;

Максимальная скорость нарастания выходного напряженияпри Uп= ±15 В, Uвых=−10 В, Uвх=−10 В……………………………………….. ≥20 В/мкс;

Входное сопротивление………………………….…………. ≥1 · 1011 Ом.

Разработка фильтра нижних частот

Рисунок 3.9 – Фильтр нижних частот

Фильтр нижних частот предназначен для выделения из выходного напряжения ФЧВ среднего значения. Максимальное выходное напряжение усилителя находится на уровне 20.6мВ. После ФНЧ среднее значение будет равно:

  Uo=2×Um/р=13.12mB (3.39)

Частота минимальной гармоники в выходном сигнале ФНЧ будет равна 2w, где w – частота возбуждения датчика.

Информация о работе Расходомер на основе электромагнитного датчика расхода