Проектирование мультивибратора

Автор: Пользователь скрыл имя, 20 Октября 2011 в 16:15, курсовая работа

Краткое описание

В результате данного курсового проекта разработаны структурная и принципиальная схемы мультивибратора управления разверткой осциллографа С1-67. Был проведен электрический расчет электронной схемы, в результате которого определены номиналы резисторов и конденсаторов, а также выбраны активные элементы – транзисторы и диоды.
Также была проведена компоновка печатного узла мультивибратора управления разверткой, рассчитано число посадочных мест на плате. Были определенны частота собственных колебаний пластины и резонансная частота пластины.
Для наглядности расчетов в работе приведены рисунки и чертежи – электрическая принципиальная схема, печатная плата и сборочный чертеж мультивибратора управления разверткой осциллографа С1-67.

Оглавление

Введение…………………………………….........……………………......3
Анализ технического задания……………….........……………...….5
Синтез структурной схемы……………………….........……....…....6
Анализ принципиальной схемы мультивибратора
управления разверткой……………...……………………..…...….....7
Выбор элементной базы……………………………………............…9
Расчет принципиальной схемы мультивибратора управления
разверткой по постоянному току………………………….…...........11
Расчет принципиальной схемы мультивибратора управления
разверткой по временному току………………………………..........16
Компоновка печатного узла…………………………………….........18
Расчет посадочных мест………………………………….............18
7.2 Расчет на вибропрочность………………………………….….....19
Расчет надежности мультивибратора управления разверткой…....21
Расчет теплового режима…………………………………….……....23
Заключение…………………………………………………………….…...24
Список использованной литературы……………………………………..25
Приложение А «Перечень элементов»..................................................26

Файлы: 1 файл

Мультивибратор.docx

— 285.00 Кб (Скачать)

       Активный  элемент усилителя напряжения, т.е. транзистор VT2, должен быть высокочастотным n-p-n транзистором малой мощности с напряжением Uкэ>1,5•Eп2.

       Подойдет  транзистор 1Т311А, который имеет следующие  технические характеристики:

  • мощность рассеяния коллектора Pkmax=150 mВт;
  • граничная частота fгр>300 МГц;
  • предельное напряжение коллектор-база Uкбо=12 В;
  • предельно допустимое напряжение эмиттер-база Uэб=2 В;
  • максимальный ток коллектора Ikmax=50 mA;
  • коэффициент передачи тока базы h21=15 ... 80;
  • емкость коллекторного перехода Ck< 2,5 пФ;
  • сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас<20 Ом.

       Транзистор  VT1 источник тока должен иметь напряжение коллектор-эмиттер Uкэ1>1,5 •Еп2=9 В. Этому условию удовлетворить транзистор 2Т301Е. Это кремниевый n-p-n транзистор со следующими характеристиками:

  • мощность рассеяния коллектора Pkmax=150 mВт;
  • предельное напряжение коллектор-база Uкбо=30 В;
  • предельно допустимое напряжение эмиттер-база Uэб=3 В;
  • максимальный ток коллектора Ikmax=10 mA;
  • коэффициент передачи тока базы h21=40 ... 180;
  • сопротивление коллектор-эмиттер в режиме насыщения rкэнас<300 Ом.

       Туннельный  диод VD3выбран из условия, что участок его ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением должен быть расположен в диапазоне напряжений, охватывающим рабочую точку Uбэ2 транзистора VT2.

       Выбран  туннельный диод 3Н306Р с параметрами:

  • пиковый ток 4,5 ... 5,5 мА;
  • напряжение пика не более 0.78 мА;
  • напряжение раствора 0,85 ... 1,15 В;
  • максимально допустимый постоянный прямой ток 1,2 мА.

       Прямое  напряжение отпирания диода VD2 UпорVD2 должно быть больше напряжения UVD3 на туннельном диоде VD3. Этому условию удовлетворяет кремниевый диод типа 2Д503Б с параметрами:

  • постоянное прямое напряжение при  Iпр=10 мА не более 1,2 В;
  • импульсное прямое напряжение при Iпримп=50 мА не более 3,5 В;
  • обратный ток при Uобр=30 В не  более 10 мкА;
  • прямое пороговое напряжение Uпр.пор>5 В.

       В качестве диода VD3 выбирается любой выпрямительный диод. Выберем распространенный диод типа Д220 с параметрами:

    • постоянное прямое напряжение при Iпр=50 мА не более 1,5 В при t=25оС и 1,9 В при t=100оС;
  • импульсное прямое напряжение при Iпримп=50 мА не бол. 3,75 В;
  • постоянный обратный ток при Uобр= Uобрmax не более 1,0 мкА;
  • выпрямительный ток при t=25оС 50 мА.

 

       

       5 Расчет принципиальной схемы мультивибратора управления

       разверткой  по постоянному току 

  

       Рисунок 3. Принципиальная схема мультивибратора управления

       разверткой осциллографа C1-67 

       Расчет  элементов принципиальной схемы  мультивибратора управления разверткой осциллографа удобно вести по схеме (рис. 3).

       В качестве активного элемента эмиттерного  повторителя выберем транзистор малой мощности, высокой частоты. Напряжение питания эмиттерного повторителя выберем из условия  Eп1>Uвых=1В, т.о., ЕП1=-10 В.

       Подойдет  транзистор 1Т308А, который имеет следующие  характеристики:

  • мощность рассеяния коллектора Pkmax=150 mВт;
  • граничная частота fгр>90 МГц;
  • предельное напряжение коллектор-база Uкбо=20 В;
  • предельно допустимое напряжение эмиттер-база Uэб=3 В;
  • максимальный ток коллектора Iк мах=50 мА;
  • коэффициент передачи тока базы h21 э=20..75.

       По  семейству выходных ВАХ выберем  ток покоя коллектора  

       Ik max=3 мА. Падение напряжения на сопротивлении R11  должно составлять примерно 0.1Еп.

       

 

            Резистор R8 обеспечивает необходимое напряжение смещения рабочей точки: 

       

   , 

         где 

       

 

            По входной ВАХ из справочника определяем  

       

       

. 

            Для расчета величины сопротивления  резистора  R9 определим напряжение питания усилителя напряжения (VT2) из условия , выберем Еп=+6 В.  

       

. 

         Падение напряжения на резисторе  R6 должно составлять примерно 2В, т.е. UR6=Iк2R6=2 В, тогда: 

       

 

             Выберем активный элемент усилителя  напряжения, т.е. транзистор VT2. Это должен быть высокочастотный n-p-n транзистор малой мощности с напряжением , здесь 1.5-коэффициент запаса.

               Подойдет транзистор 1Т311А, который имеет следующие технические характеристики:

  • мощность рассеяния транзистора Рк мах=150 мВт;
  • граничная частота ;
  • предельно допустимое напряжение коллектор-база Uкб0=12 В;
  • предельно допустимое напряжение эмиттер-база Uэб0=2 В;
  • максимальный ток коллектора Iк мах=50  мА;
  • коэффициент передачи тока базы h21=15..80.

       По  семейству выходных ВАХ, приведенных в справочнике, выберем ток покоя транзистора VT2- Iк2=1.5 мА, при Uкэ=3.7 В.

           Учитывая то, что ток делителя  R8,R9 так же протекает через резистор R6. Определим величину резистора R6: 

       

       

 

            Тунельный диод VD3 выбираем из условия, что участок его ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением должен быть расположен в диапазоне напряжений, охватывающем рабочую точку Uбэ2 транзистора VT2.

            Ток базы VT2 составит: 

       

 

           По входной ВАХ определяем 

       Подойдет  туннельный диод 3И306Р. Для «развязки» туннельного диода VD3 и транзистора VT2 служит резистор R7. Его величина выбирается из условия .

           Выберем R7=100 Ом.

           Транзистор VT1 источника тока должен иметь . Этому условию удовлетворяет транзистор 2Т301Е, это кремниевый n-p-n транзистор с коэффициентом передачи тока базы h21=40..180; мощность рассеяния коллектора Pк мах=150 мВт; максимальный ток коллектора Iк мах=10 мА, Uкб0 мах=30 В, Uэб0=3 В.

           По семейству выходных ВАХ  выберем ток покоя транзистора  VT1     Iк1=2 мА , при Uкэ1=4 В.

       

 

           Учитывая, что напряжение на диоде  VD3=Uбэ2 и падение напряжения на резисторе R7      -- малая величина, имеем: 

       

,

       

. 

           Из справочника, по ВАХ туннельного  диода, имеем 

       

, тогда

       

. 

            Прямое напряжение отпирания  диода VD2 UVD3 на туннельном диоде UпорVD2>UVD3. Этому условию удовлетворяет кремниевый диод типа КД503Б или 2Д503Б с .

       Диод  VD1 – любой кремниевый маломощный с прямым током

.

           Подойдет распространенный диод  типа Д220.

           Ток делителя R1,R2 принимаем равным

           Напряжение на базе транзистора  VT1 определяется, как

        .

           По входной ВАХ транзистора VT1 из справочника находим 

       

,

       

. 

          По закону Кирхгофа  .

          Возьмем ток делителя с запасом:Iд=0.16 мА.

       

,  

       где ток VD1 определяем по ВАХ диода из справочника: 

       

,

       

,

       

, 

       

, 

       где напряжение управления Еупр выбрано равным 50 В. 

       

. 

            Мощности, рассеиваемые резисторами,  не превысят 0.25 Вт. Поэтому можно применить резисторы МЛТ-0.25.

            В ходе расчета по постоянному  току были определены:

       VT1-2T301E           VD1-Д220

       VT2-1T311A           VD2-2Д503Б

       VT3-1T308A           VD3-3И306Р

       R1=15 кОм        МЛТ-0.25

       R2=10 кОм        МЛТ-0.25

       R3=220кОм       МЛТ-0.25

       R4=270 кОм      МЛТ-0.25

       R5=820 Ом        МЛТ-0.25

       R6=820 Ом        МЛТ-0.25

       R7=100 Ом        МЛТ-0.25

       R8=10 кОм        МЛТ-0.25

       R9=6.8 кОм       МЛТ-0.25

       R10=220 Ом      МЛТ-0.25

       R11=330 Ом      МЛТ-0.25 
 

       6 Расчет принципиальной схемы мультивибратора     управления

       разверткой  по временному току 

          В результате расчета по переменному  току  схемы мультивибратора управления  разверткой (рис.3) определим номиналы  конденсаторов.

          Величину емкости С6 выбираем исходя из постоянной времени t корректирующей цепочки R9C6 , постоянная времени этой цепи 

        

       

. 

           Здесь fв=10 МГц – верхняя граничная частота исследуемого сигнала (из паспорта), 0.707 – уровень, по которому определяется полоса пропускания.

           Тогда из    найдем .

           Аналогично определяем емкость  С7, исходя из постоянной времени R11C7 – цепочки.

        , отсюда  .

Информация о работе Проектирование мультивибратора