Автор: Пользователь скрыл имя, 13 Мая 2012 в 22:20, курсовая работа
Технология флэш-памяти появилась около 20-ти лет назад. В конце 80-х годов прошлого столетия флэш-память начали использовать в качестве альтернативы EPROM (электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ).
Рынок флэш-памяти – самый быстрорастущий сегмент полупроводникового рынка. Ежегодно он растет более чем на 15 %, что превышает суммарный рост всей остальной полупроводниковой индустрии. Количество компаний, выпускающих этот тип памяти, стремительно увеличивается, а цена на неё так же быстро падает. В 2000 году объёмы производства флэш-памяти превысили объёмы производства SRAM. В 2002 году общемировой объем продаж флэш-памяти составил 7,7 млрд. долларов.
Существует разновидность Memory Stick — Memory Stick Magic Gate (сокращенно MG). От обычного Memory Stick, MG отличается лишь цветом (цвет карточки - белый) и поддержкой механизма «защиты авторских прав» - Magic Gate. Благодаря поддержке этой технологии карточка и получила свое название.
Пытаясь угнаться за малым весом и размерами конкурирующих форматов (SD/MMC), в 2000 году Sony разработала ещё один формат — Memory Stick Duo. От обычного Memory Stick, Duo отличается меньшими размерами и весом. При использовании Memory Stick Duo в устройствах, предназначенных для обычных Memory Stick, требуется специальный адаптер. Также существует модификация этого формата флэш-памяти — Memory Stick Duo MG. Карточки Duo появились в продаже с июля 2002 года.
На январской выставке Consumer Electronics Show 2003 была представлена карта Memory Stick Pro, разработанная Sony совместно с SanDisk. Новая модификация карт Sony имеет те же размеры и такое же количество контактов, как и у обычных Memory Stick. Однако карта не совместима со старыми Memory Stick (в разъеме, предназначенном для обычных Memory Stick, карточка Memory Stick Pro работать не будет, однако обратная поддержка реализова-на в разъеме для карточек Pro, обычный Memory Stick читается).
Технически
карточки Pro отличаются от обычных Memory
Stick тем, что работают на более высокой
частоте (40 МГц), а данные передаются по
четырем линиям, вместо одной. Кроме того,
все карточки Pro «в нагрузку» поддерживают
Magic Gate. Пропускная способность интерфейса
160 Мб/c, или 20 Мб/с, (4 линии x
40 МГц), однако с таким быстродействием
карточка долго работать не может – на
такой скорости способен работать только
внутренний кэш, а по его заполнении карточка
будет работать с пропускной способностью
15 Мб/c.
Рисунок 19 — Sony Memory Stick
5.7 SDXC
Новый тип карт памяти с объемом до 2 Тб. На выставке потребительской электроники CES 2009 были анонсированы карты памяти SDXC (eXtended Capacity) нового поколения, которые обеспечат пользователям максимальный уровень комфорта при работе с устройствами любого типа, включая мобильные телефоны, фотоаппараты и видеокамеры. На картах такого объема можно будет хранить в буквальном смысле слова недели видео высокого разрешения, месяцы музыкальных записей и годы фотографий — именно в таких единицах будет измеряться время на накопителях нового поколения. Максимальный объем карты памяти данной спецификации будет составлять 2 Тб; также впечатляющей будет и скорость чтения/записи данных, которая пока составляет 104 Мб/с, а при доработке в обозримом будущем этот показатель увеличится до отметки в 300.
6 Phase-change память
Это память с фазовым изменением (Phase-Change Memory). Технология, лежащая в основе этой памяти, известна уже давно. В 1960-х годах Стенфорд Овшинский (Stanford Ovshinsky) придумал способ кристаллизации аморфных материалов, т.е. материалов, не обладающих кристаллической структурой.
CD-R
и CD-RW работают в результате
того, что лазер изменяет
Различие между технологией CDR и технологией памяти с фазовым изменением (Phase-Change technology) заключается в том, что кристаллическое состояние небольшой области изменяется с помощью электрического тока, а не лазера. Так как мы не используем лазеры для чтения и записи данных, то мы используем не прозрачность региона, а сопротивление региона. После того, как регион перешел из кристаллического состояния в аморфное или наоборот, сопротивление этого региона можно измерить, и в зависимости от этого (значения сопротивления) считать его «1» или «0».
В
качестве примечания, вы должны заметить,
что электрическое
Память с фазовым изменением (Phase-Change Memory) потенциально может заменить флэш-память (Flash Memory).
Точно так же, как и флэш, память с фазовым изменением (Phase-Change Memory) – это энергонезависимая память с произвольной выборкой (non-volatile random access memory), что делает ее очень подходящей для выполнения кода и хранения данных. В 2006 IBM, совместно с Macronix и Qimonda анонсировала результаты исследования, в которых заявляли, что они спроектировали, создали и продемонстрировали прототип устройства памяти с фазовым изменением (Phase-Change Memory). Это устройство было в 500 раз быстрее флэш и использовало в два раза меньше энергии. Прототип устройства был гораздо меньше, чем флэш-память.
Компания IBM не единственная, которая хотела бы внедрить технологию Phase-Change Memory в нашу повседневную жизнь. Наряду с IBM, Macronix и Qimonda данную технологию развивают Intel, Samsung, STMicroelectronics. Об изобретении фазовой памяти в 1000 раз быстрее флэш заявили ученые из Университета Пенсильвании. Это огромный шаг в развитии современных информационных технологий. По словам экспертов, стоимость Phase-Change Memory будет падать быстрее, чем падает стоимость флэш-памяти. Со временем фазовая память будет использоваться в сотовых телефонах, цифровых камерах, MP3-плеерах, компьютерах и другом высокотехнологичном оборудовании. Широкое проникновение фазовой памяти — одна из основных задач, которая стоит сегодня перед ее создателями.
Заключение
Флэш-память наиболее известна применением в USB флэш-носителях (англ. USB flash drive).
В основном применяется NAND тип памяти, которая подключается по интерфейсу USB mass storage device (USB MSC). Данный интерфейс поддерживается всеми ОС современных версий.
Благодаря большой скорости, объёму и компактным размерам USB флэш-носители практически полностью вытеснили с рынка дискеты. Например, компания Dell с 2003 года перестала выпускать компьютеры с дисководом гибких дисков.
В данный момент выпускается широкий ассортимент USB флэш-носителей, разных форм, цветов и назначений. Японская компания Solid Alliance даже выпускает флэшки в виде еды. На рынке присутствуют флэшки с защитой от записи, с автоматическим шифрованием записываемых на них данных.
Флеш-память может хранить операционную систему и набор необходимых пользователю программ, которые будет запускаться при подключении устройства к компьютеру , например, чтобы пользоваться своими приложениями в Интернет-кафе.
Технология ReadyBoost в Windows Vista способна использовать USB-флэш носитель или специальную флэш-память, встроенную в компьютер, для увеличения быстродействия. На флэш-памяти так же основываются карты памяти, которые активно применяются в портативной технике (фотоаппараты, мобильные телефоны). Вкупе с USB носителями флэш-память занимает большую часть рынка переносных носителей данных.
NOR тип памяти чаще применяется в BIOS и ROM-памяти устройств, таких как DSL модемы, маршрутизаторы и т. д. Флэш-память позволяет легко обновлять прошивку устройств, при этом скорость записи и объём для таких устройств не так важны.
И пока современные компании трудятся над созданием более емкой, быстрой и дешевой памятью, мы будем продолжать пользоваться пока что всеми любимой и для всех доступной флэш-памятью.
Источники информации