Вычислительная техника и программное обеспечение

Автор: Пользователь скрыл имя, 18 Сентября 2011 в 14:08, лабораторная работа

Краткое описание

В усилительном каскаде на полупроводником триоде включенном по схеме с общим эмиттером ОЭ требуется рассчитать коэффициент усиления по току К и по напряжению К , выходное R выходное R сопротивления, а также внутренние физические параметры триода.

Файлы: 1 файл

лаба2.doc

— 107.50 Кб (Скачать)
 

МИНИСТЕРСТВО  ОБРАЗОВАНИЯ И  НАУКИ

РЕСПУБЛИКИ  КАЗАХСТАН 

ЮЖНО  – КАЗАХСТАНСКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М.О.АУЕЗОВА 
 

КАФЕДРА: «Вычислительная  техника и программное  обеспечение» 

Лабораторная 

работа  
 

НА  ТЕМУ: ____________________________________________ 
 
 
 
 

              ВЫПОЛНИЛА: Хасанова Р.       

                                            ип – 07-6р 

              ПРИНЯЛ: Амиров Р. А. 
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               
               

ШЫМКЕНТ

2009 г 

12 вариант

Цель  работы:

 В   усилительном  каскаде  на  полупроводником  триоде  включенном  по  схеме  с  общим   эмиттером  ОЭ требуется рассчитать коэффициент усиления по току К и по  напряжению  К ,   выходное  R выходное  R   сопротивления,  а также внутренние  физические  параметры  триода. 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 
Вари анты 
 
Тип

триода

Параметры триода,     измеренные  в  схеме  ОБ  
R .

кОм

 
R .

Ом

Схема  включения триода
h

Ом

h h h

-1

2 МП36А(П9А) 20 3*10 -0,96 2*10 1,2 40 ОЭ
 

    Каждый  из h-параметров имеет определенный физический смысл.

    Параметр h11 представляет собой величину входного сопротивления транзистора при коротком замыкании на выходе и измеряется в Омах.

    Параметр h12 называется коэффициентом обратной связи и равен отношению входного напряжения  к выходному  при  разомкнутой входной цепи.

    Параметр h22  представляет собой выходную проводимость транзистора при разомкнутом входе.

    Параметр h21 коэффициент прямой передачи тока при коротком замыкании на выходе

    Перечисленные h-параметры являются «внешними параметрами транзистора».

    Они зависят от режима работы транзистора  и от схемы его включения. Однако, зная эти внешние параметры транзистора, можно вычислить «внутренние  параметры транзистора»: rЭ – сопротивление p-n перехода эмиттер-база (переход включен в прямом направлении); rб – сопротивление базовой области транзистора; rk – сопротивление p-n перехода коллектор-база (переход включен в обратном направлении), α - коэффициент усиления по току (коэффициент передачи тока эмиттера). β – коэффициент передачи тока базы.

    Эти величины связаны с его h-параметрами в схеме с ОБ следующими соотношениями: 

 

 

Связь внутренних параметров триода с h- параметрами в ОЭ схеме:

Отсюда  следует, что:

Показатели схемы усилителя

где — определитель матрицы  h-параметров,

           

 

 

#include<iostream.h>

#include<conio.h>

main()

{

textcolor(0);

textbackground(7);

clrscr();

double h11,h12,h21,h22,h11e,h12e,h21e,h22e,rk,rb,re,Rk,Rg,a,det;

double Ku,Rvh,Rvih,Ki;

cout<<"h11=";

cin>>h11;

cout<<"\nh12=";

cin>>h12;

cout<<"\nh21=";

cin>>h21;

cout<<"\nh22=";

cin>>h22;

cout<<"\nRk=";

cin>>Rk;

cout<<"\nRg=";

cin>>Rg;

rk=1/h22;

rb=h12/h22;

a=-h21;

re=h11-h12*(1+h21)/h22;

h11e=rb+re/(1-a);

h12e=re/(rk*(1-a));

h21e=a/(1-a);

h22e=1/(rk*(1-a));

det=h11e*h22e-h12e*h21e;

Ku=-h21e*Rk/h11e;

Rvh=h11e;

Ki=-h21e;

Rvih=(h11e+Rg)/(det+h22*Rg);

cout<<"Ku= "<<Ku<<" Rvh= "<<Rvh<<" Ki= "<<Ki<<" Rvih="<<Rvih<<endl;

cin.get();

cin.get();

return 0;

}

Информация о работе Вычислительная техника и программное обеспечение